DSEC16-06A
ns
4
A
TVJ
=°C25
reverse recovery time
A
6
30
90
ns
IRM
max. reverse recovery current
IF
=A;10
VR
=V100
T=100°CVJ
-diF/dt
=A/μs200
trr
TVJ
=°C25
T=100°CVJ
V = VR
600
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
2.10
RthJC
2.5 K/W
min.
10
VRSM
V
60
T = 25°CVJ
T = °CVJ
150
mA
0.25
V = VR
600
T = 25°CVJ
I = AF
10
V
T = °CC
135
Ptot
60
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
2.32
T = 25°CVJ
VF0
V
1.03
T = °CVJ
175
rF
25.1
m?
V
1.42
T = °CVJ
150
I = AF
10
V
1.68
I = AF
20
I = AF
20
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
600
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
6
junction capacitance
V = VR
400 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
50
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Fast Diode
600
0.50
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20120705b
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2012 IXYS all rights reserved
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